삼성, 저전력 17nm LPV 공정 구축: 28nm + 14nm 투인원

출처 : https://news.mydrivers.com/1/787/787453.htm

三星打造17nm LPV工艺：28nm＋14nm二合一

半导体工艺不只是尖端的7/5/3/2nm，因为还有很多芯片并不需要太先进的制程，它们往往不太复杂，但对成本非常...

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반도체 공정은 단순히 최첨단 7/5/3/2nm 가 아니라, 너무 고도의 제조 공정을 필요로 하지 않는 칩이 많기 때문에 너무 복잡하지 않지만 비용에 매우 민감합니다.

오늘 삼성은 저전력 가치를 의미하는 새로운 17LPV 17nm 공정의 출시를 발표했습니다.

실제로 28nm BEOL 백엔드 공정과 14nm FEOL 프론트엔드 공정을 결합한 28nm 공정의 진화로, 28nm 노드를 기반으로 14nm FinFET 3차원 트랜지스터가 추가된다 . 저렴한 비용으로 즐길 수 있어 에너지 효율의 이점이 있습니다.

삼성은 17nm LPV 공정이 기존 28nm 공정에 비해 칩 면적을 43% 줄여 성능을 약 39% 또는 에너지 효율을 49% 향상시킬 수 있다고 주장합니다 .

삼성의 17nm LPV 공정의 양산 시기는 알려지지 않았지만, 삼성은 자사의 첫 번째 서비스 대상이 삼성 자체 CMOS 센서 제품군에 속하는 ISP 이미지 신호 프로세서 라고 발표했습니다 .

또한 삼성은 Low Power Ultimate를 의미 하는 14nm LPU 공정 도 만들었지 만 세부 사항은 공개하지 않았으며 28nm BEOL에 14nm FEOL을 더한 것일 수도 있습니다.