SK하이닉스가 LPDDR5T 모바일 DRAM 출시: 13% 더 높은 성능, 1.01V 9600Mbps 속도 입니다
| 출처 | https://wccftech.com/sk-hynix-intros-lpddr5t-mobile-dram-t-for-turbo-higher-performance-9600-mbps-transfer/ |
|---|
SK 하이닉스는 모바일 장치를위한 세계에서 가장 빠른 메모리 솔루션 인 LPDDR5T DRAM의 개발을 발표했습니다.
SK하이닉스, 효율 13% 향상으로 세계에서 가장 빠른 모바일 DRAM인 LPDDR5T 개발
보도 자료: SK 하이닉스 주식회사 (또는 "회사", www.skhynix.com)는 오늘 세계에서 가장 빠른 모바일 DRAM 'LPDDR5T(저전력 더블 데이터 레이트 5 터보)'를 개발해 고객에게 샘플 제품을 제공했다고 밝혔다.
제품인 LPDDR5T는 2022년 11월에 공개된 이전 세대 LPDDR5X*보다 13% 더 빠른 초당 9.6기가비트(Gbps)의 데이터 속도로 작동합니다. 제품의 최대 속도를 강조하기 위해 SK 하이닉스는 표준 이름 LPDDR5 끝에 '터보'를 추가했습니다.
* LPDDR : 스마트 폰 및 태블릿을 포함한 모바일 장치 용 저전력 DRAM으로 전력 소비를 최소화하고 저전압 작동이 특징입니다. LPDDR5X DRAM은 1, 2, 3, 4, 4X 및 5로 끝나는 시리즈의 뒤를 잇는 7 세대 제품입니다. LPDDR5T는 SK하이닉스가 새로 개발한 버전으로 8세대 LPDDR6 개발 이전의 7세대(5X)의 업그레이드 제품이다.
JEDEC(공동전자소자공학회)가 정한 1.01∼1.12V의 초저전압 범위에서 동작하는 LPDDR5T는 최고의 속도뿐만 아니라 초저전력 소모가 특징인 제품입니다.
SK하이닉스는 "2022년 11월 8.5Gbps 사양의 모바일 DRAM LPDDR5X가 시장에 출시된 지 불과 두 달 만에 이 기술을 새로운 한계까지 밀어붙였다"고 말했다. 이어 "고객의 요구에 맞는 다양한 저장 용량의 제품을 제공함으로써 모바일 DRAM 시장에서 리더십을 공고히 하겠다."
SK 하이닉스는 여러 LPDDR5T 칩을 하나의 패키지로 결합한 16 기가 바이트 (GB) 멀티 칩 패키지 샘플을 고객에게 제공했다고 밝혔다. 패키지 제품은 초당 77GB의 데이터를 처리 할 수 있으며 이는 1 초에 15 개의 FHD (Full-HD) 영화를 전송하는 것과 같습니다.
SK 하이닉스는 하반기에 4 세대 10nm 기술 인 1anm을 사용하여 LPDDR5T의 대량 생산을 시작할 계획입니다.
한편, SK하이닉스는 HKMG(High-K Metal Gate)* 공정을 최신 제품에 다시 접목해 최고의 성능을 발휘할 수 있게 했으며, 기술 격차를 크게 벌린 LPDDR5T가 "차세대 LPDDR6 개발 전에 시장을 선도할 것"이라고 기대하고 있다.
* HKMG : DRAM 트랜지스터 내부의 절연막에 유전율(K)이 높은 물질을 사용하여 누설전류를 방지하고 정전용량을 향상시키는 차세대 공정. 속도를 높이면서 전력 소비를 줄입니다. SK하이닉스는 2022년 11월 업계 최초로 모바일 DRAM에 이 공정을 통합했다.
IT 업계는 5G 스마트 폰 시장이 더욱 확대됨에 따라 고급 사양의 메모리 칩에 대한 수요가 증가 할 것으로 예측합니다. 이러한 추세에서 SK 하이닉스는 LPDDR5T의 적용이 스마트 폰을 넘어 인공 지능 (AI), 기계 학습 및 증강 / 가상 현실 (AR / VR)로 확장 될 것으로 기대합니다.
SK하이닉스 DRAM 제품 기획 책임자 류성수는 "LPDDR5T의 개발로 초고성능 제품에 대한 고객의 수요를 충족시켰다"며 "SK하이닉스 DRAM 제품 기획 총괄은 "LPDDR5T의 개발로 초고성능 제품에 대한 고객의 수요를 충족시켰다"고 말했다. 이어 "차세대 반도체 시장을 선도하고 IT 세계의 게임 체인저가 되기 위한 기술 개발에 계속 노력하겠다"고 덧붙였다.
