삼성 3nm 공장 착공 임박: 세계 최초 GAA 공정 전력 소비 50% 감소

과연 수율이 잘나올지....

최근 삼성 파운드리 부서가 부정적이어서 일부 직원들이 5나노, 4나노, 3나노 공정의 수율을 위조하고 허위로 보고 해 퀄컴 등 VIP 고객들이 퇴사 하고 TSMC를 이용해 스냅드래곤 8 을 다시 생산해야 했다는 보도가 나왔다. 프로세서.

그러나 기술적인 관점에서 보면 삼성은 여전히 ​​TSMC를 바짝 추격할 수 있는 유일한 웨이퍼 파운드리입니다 .7nm , 5nm 및 4nm 노드에서는 뒤쳐지지만, 삼성은 다음 3nm 노드에서 더 공격적 이며 세계의 FinFET 트랜지스터 기술 을 포기한 최초의 GAA 트랜지스터 공정 과 TSMC의 3nm 공정은 여전히 ​​FinFET 공정을 기반으로 합니다.

Samsung은 이전에 GAA 가 주로 FinFET 트랜지스터 기술 을 대체하여 트랜지스터 성능을 크게 향상시킬 수 있는 나노시트 장치를 사용하여 MBCFET ( Multi-Bridge-Channel FET ) 를 만든 새로운 유형의 게이트 어라운드 트랜지스터라고 밝혔습니다.

삼성전자에 따르면 3nm GAA 기술은 7nm 공정에 비해 로직 영역 효율 이 45% 이상 향상되고 , 전력 소모는 50% 감소 하며, 성능은 약 35% 향상 된다고 합니다. FinFET 프로세스.

물론 이것들은 아직 서류상이다. 삼성의 3nm 공정은 많은 난제들이 있고, 양산만이 문제다. 삼성은 이전 에 2021년 에 양산을 시작할 것이라고 발표 했지만, 실제로는 그렇지 않다. 가장 빠른 것은 올해이고, 첫 번째 릴리스는 3GAE입니다. 저전력 프로세스, 고성능 3GAP 프로세스는 최소 2023년 이 될 것 입니다.

한국 언론 보도에 따르면 삼성은 이미 한국 평택 P3 공장에서 3nm 웨이퍼 팹 건설에 착수 할 준비를 하고 있으며 건설은 6월 과 7월 에 시작되고 장비는 적시에 수입될 예정입니다.

이 진행 상황에 따르면 올해 3GAE 공정은 소규모 시험생산에 그치고 양산은 내년까지 이뤄질 것으로 보이며 이는 TSMC 의 3nm 공정 과 유사하다 .