삼성전자, 내년 2nm GAA 칩 양산 시작할 계획

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지난 몇 년 동안 삼성은 반도체 칩 파운드리 사업에서 엄청난 침체를 겪었습니다 . Exynos 칩을 만드는 삼성의 시스템 LSI 사업부 를 제외하고 어떤 유명 칩 회사 도 삼성 파운드리의 3nm 및 최신 세대 4nm 프로세스 노드를 사용한 적이 없습니다. 그러나 회사는 2nm 노드를 포함한 새로운 칩 프로세스 노드 개발에 여전히 앞장서고 있습니다.    

삼성전자, 2024년 2세대 3nm 칩 양산, 2025년 2nm 칩 양산 시작

 비즈니스 코리아(Business Korea)의 새로운 보고서 에 따르면 삼성 파운드리는 회사의 2nm 공정 기술에 사용될 차세대 GAA(Gate All Around) 기술을 개발하고 있습니다. 이 기술을 바탕으로 한 2nm 반도체칩 양산은 내년으로 예정돼 있다. 한국 회사는 VLSI 심포지엄 2024 엑스포에서 2nm 칩에 사용될 3세대 GAA 기술에 대한 논문을 발표할 것으로 알려졌습니다. 이번 박람회는 2024년 6월 16일부터 20일까지 미국 하와이에서 개최됩니다.

VLSI 심포지엄은 해당 분야 최고의 기술이 논의되는 세계 3대 반도체 컨퍼런스 중 하나입니다. 다른 두 개의 주요 반도체 칩 회의는 IEDM(International Electron Devices Meeting)과 ISSCC(International Solid-State Circuits Conference)입니다.

GAA의 장점은 무엇인가요?

GAA는 전류 흐름과 전력 효율성을 향상시키는 새로운 유형의 트랜지스터 설계입니다. 삼성 파운드리의 1세대 3nm 프로세스 노드와 함께 도입되었습니다. 그러나 AMD, Apple, MediaTek, Nvidia 및 Qualcomm을 포함한 다른 칩 회사에서는 사용되지 않았습니다. 삼성의 자체 시스템 LSI 사업부는 휴대폰과 스마트워치용 차세대 엑시노스 칩에 삼성 파운드리의 3nm 공정을 최초로 사용할 것으로 예상됩니다.

1세대 3nm GAA 칩은 삼성 파운드리의 5nm 공정으로 제작된 칩과 비교하여 면적은 16% 감소하고 성능은 23% 향상되었으며 전력 효율은 45% 더 높아졌습니다. 2세대 3nm 공정은 칩 크기 35% 감소, 성능 30% 향상, 전력 효율성 50% 향상을 제공할 것으로 추정됩니다. 2nm 칩에 사용될 3세대 GAA는 면적은 50% 줄이고 성능은 50% 높일 것으로 알려졌습니다.

삼성의 주요 라이벌인 TSMC는 아직 고급 프로세스 노드에 Gate All Around 기술을 사용하지 않았습니다. 삼성은 올해 하반기에 2세대 3nm GAA 칩(갤럭시S25 등)을 양산할 계획이다. Intel과 TSMC는 차세대 2nm 공정에서 GAA를 사용할 것으로 예상됩니다.