3nm는 GAA에 있지 않고 FinFET 기술 TSMC에 충실: 최고의 비용 선택

삼성이 3nm GAA로 좀 따라가야할텐데요..
수율로 문제가 많은 ㅠㅠ

3nm 노드에서 삼성 은 TSMC와 경쟁하기 위해 차세대 GAA 트랜지스터 기술을 적극적으로 선택했습니다.TSMC가 더 안정적입니다.1세대 3nm 공정은 여전히 FinFET 공정을 사용하고 있습니다.대량 생산이 가능하다는 장점이 있습니다 올해 하반기.

이날 어닝컨퍼런스에서 TSMC는 3nm 공정이 순조롭게 진행되고 있으며 계획대로 하반기 양산될 것이라고 강조하며 3nm 공정의 진행 상황 도 설명 했다 .

TSMC는 3nm 에서 FinFET 트랜지스터를 계속 사용하는 것은 포괄적인 고려 사항이며 고객에게 가장 성숙한 기술, 최고의 성능 및 최고의 비용을 제공할 수 있다고 강조했습니다.

TSMC의 공식 데이터에 따르면 TSMC의 3nm 공정은 이전 세대의 5nm 공정에 비해 로직 밀도가 1.7배 증가했고, 성능은 11% 향상되었으며, 동일한 성능에서 소비 전력은 25~30% 감소했습니다.

또한 TSMC는 3nm 공정 N3E 의 개선된 버전도 공개하며 3nm 공정 이후 1년, 즉 2023년 에 양산할 예정 이며 더 강력한 성능을 가져올 것이라고 밝혔습니다.

그러나 TSMC는 N3E 의 기술적 세부 사항을 비밀로 유지했으며 트랜지스터 아키텍처를 업그레이드할지 여부는 공개하지 않았습니다.